| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/13 ~ 10/14, 제주 ICC) |
| 권호 | 30권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | Organic Thin Film Transistors on Compatible Polymer Gate Dielectrics |
| 초록 | Organic Thin Film Transistor(OTFT)는 기존의 실리콘 반도체에 비하여 저온 성막이나 용액공정 등의 값싸고 손쉬운 공정성과 재료자체가 가지는 유연서 등의 장점으로 인하여 최근 들어 급속도로 관심을 가지는 분야이다. 특히 Flexible display를 구현하기 위해서는 게이트 절연층으로 무기산화막이 아닌 낮은 온도에서 용액공정을 통하여 쉽게 제조할 수 있는 고분자 절연층을 사용하는 것은 필수적이라 할 수 있다. 본 연구에서는 고분자 절연층으로 주로 사용되는 Poly(4-vinylphenol)(PVP)를 경화시켜 사용하였으며, 이 절연층의 경화조건을 변화시켰을 경우, 고분자 절연층의 표면에너지의 차이를 확인할 수 있었다. 이러한 표면에너지의 차이가 active layer1,2의 형성과정의 조건에 따라 active layer박막의 구조변화 및 field-effect mobility, on/off ratio등의 전기적 특성과의 상관관계를 grazing-incident X-ray diffraction(GIXD), AFM등을 이용하여 체계적으로 규명하였다. Fig.1. Surface Energy of cured PVP with various curing condition 참고문헌 1. D. H. Kim, Y. D. Park, Y. Jang and K. Cho, Asv. Func. Mater. 15, 77(2005) 2. H. Sirringhaus, P. J. Brown and R. H. Friend, Nature, 401, 685(1999) |
| 저자 | 황민규1, 조길원2, 김도환1, 장윤석1 |
| 소속 | 1포항공과대, 2포항광과대 |
| 키워드 | OTFT; Polymer gate dielectrics; Poly(4-vinylphenol) |
