| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Patterning을 통해 형성된 SWCNT 전극을 이용한 TFT 제작 (Fabrication of TFT with a patterned SWCNT electrode) |
| 초록 | 대표적인 투명전극 재료로 사용되고 있는 indium-tin-oxide (ITO)는 높은 전기 전도도와 광 투과도를 가지지만, 부족한 유연성과 엄격한 공정조건 및 indium의 수급불균형으로 인한 원가 문제 등으로 대체 물질 개발에 대한 필요성이 대두되고 있다. 이러한 투명전극에 적용이 가능한 소재들 중 single-wall carbon nanotube (SWCNT)는 탄성 강도와 열 전달 특성이 우수할 뿐만 아니라 전기적 특성과 광학적 특성 등이 뛰어나기 때문에 ITO를 대체할 수 있는 물질로 새롭게 떠오르고 있다. 본 연구에서는 SWCNT를 이용하여 기존 투명전극의 공정을 개선시키고 패턴된 전극을 제작하여 thin film transistor (TFT)에 적용하고자 하였다. Photo-lithography 공정을 이용하여 photo resist (PR) 패턴을 형성시키고 spray-coating 방법으로 SWCNT를 코팅한 후 PR을 lift-off 함으로써 최소 10μm 간격의 패턴을 만들 수 있었다. SWCNT의 spray-coating 조건에 따라 four point probe measurement와 UV-vis를 이용하여 전극의 저항 및 투과도를 측정하였으며, TFT의 채널물질로 indium-zinc-oxide (IZO)을 증착하여 I-V characteristics 분석을 통해 Ion/Ioff ratio, 이동도, sub-threshold swing, threshold voltage 등의 전기적 특성을 바탕으로 전극으로서 SWCNT의 적합성을 평가하였다. |
| 저자 | 이수정, 강지연, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Single-walled carbon nanotube (SWCNT); Photo-lithography; Spray coating |
