| 초록 |
최근 고효율 실리콘 태양전지로 이종접합 구조의 연구가 활발히 진행되고있으며, 정공선택층 물질로 전이금속산화물이 적합하다고 알려져 있다. 본 연구에서는 바나듐 옥사이드(VOx)를 연구하였으며, 박막의 균일도가 우수하며 두께 및 조성 조절이 용이한 원자층 증착법(ALD)을 통해 VOx 박막을 증착하였다. 태양전지용 실리콘 기판에 증착하여 패시베이션 특성(iVoc, minority carrier lifetime)을 측정하였고, 열처리를 통하여 열처리 온도에 따른 특성 변화를 비교하였다. 열처리 온도 100 °C에서 패시베이션 특성이 최대(iVoc 650 mV, lifetime 47 µs)로 향상되었으며, 250 °C 이상에서는 특성이 급격히 저하되었다. ARXPS를 통하여 열처리 온도에 따른 계면의 결합상태를 분석하였다. 열처리 온도 100 °C 에서는 metal oxide 결합의 비율이 높으며 SiOx 결합의 비율이 낮았지만 열처리 온도 300 °C에서는 SiOx 결합의 비율이 높은 것을 확인하였다. 이를 통해 열처리 온도에 따라 형성되는 Si-VOx 계면에서의 SiOx 결합에 따라 패시베이션 특성이 결정되는 것을 확인하였다. |
