| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2019년 가을 (10/30 ~ 11/01, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 |
25권 2호 |
| 발표분야 |
특별심포지엄5. 초고속 저전력 광 데이터 처리용 소자 심포지엄-오거나이저:송용원(KIST) |
| 제목 |
InAs/GaAs 양자점 물질의 내부양자효율 특성 평가 및 분석 |
| 초록 |
최근 InAs/GaAs 양자점(quantum dot)이 단일광자 광원 또는 실리콘 포토닉스의 레이저 광원 물질로서 많은 연구가 이루어지고 있다. 고효율의 광원을 구현하기 위해서는 높은 내부양효율 (internal quantum efficiency) 특성이 요구된다. 본 연구에서는 power-dependent photoluminescence 방법에 기반하여 InAs/GaAs 양자점의 내부양자효율을 평가하고 그 특성을 분석하였다. 측정 데이터를 ABC 전하 재결합 모델을 통해 분석해 본 바 상온에서 최대 내부양자효율이 70%에 이르는 것을 확인하였고, excitation power가 증가함에 따라 내부양자효율이 급격히 감소하는 efficiency droop 현상도 확인하였다. 본 연구에서 수행한 반도체 양자점 물질의 내부양자효율 평가 기술은 고효율 양자점 광원 구현에 유용하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다. |
| 저자 |
류한열1, Chibuzo Onwukaeme1, 류근환1, 송진동2, 최원준2
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| 소속 |
1인하대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 |
InAs; 양자점; 내부양자효율; photoluminescence
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| E-Mail |
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