| 초록 |
산화인듐(In2O3)에 주석(Sn)을 치환고용시킨 ITO는 전기전도성 및 투과율이 뛰어나기 때문에 다양한 디스플레이소자의 투명전극박막재료로서 가장 널리 사용되어지고 있다. 특히, FPD (Flat Panel Display)에 사용되어지고 있는 ITO전극의 생산현장에서 가장 중요한 이슈는 스퍼터링 공정에서의 높은 스퍼터링율과 타겟의 사용효율이다. 기존의 상용 ITO타겟의 경우, 타겟의 사용시간의 증가에 따라 타겟표면에 형성된 micro-nodule에 기인한 micro-arcing의 증가에 의하여 ITO박막의 비저항이 급격히 증가하는 점이 지적되고 있다. 또한, ITO박막의 생산현장에서는 박막코스트를 결정하는 가장 중요한 인자중의 하나로서 타겟의 사용효율을 들 수 있다. 본 연구에서는 직류마그네트론 스퍼터링법을 이용한 ITO 박막의 성막공정에 있어서 타겟의 노듈형성이 박막물성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, 산소의 소결 분위기, Sn의 분산정도, 소결밀도 등의 다양한 조건에서 제작한 ITO 타겟을 사용하였으며, 또한 micro arcing counter를 사용하여 방전의 안전성을 모니터링 하였다. 기존의 상용 ITO 타겟의 경우, 스퍼터링 시간이 9시간 이상 경과함에 따라 타겟표면은 22%정도 스퍼터 되었으며, 이 때 ITO 박막의 비저항이 뚜렷한 증가가 관찰 되었다. 한편 개선된 ITO의 경우, 연속방전 시간 18시간 까지도 micro arcing의 현저한 증가는 관찰되지 않았다. |
