| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5191 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 고순도 알루미늄의 전기화학적 에칭에 미치는 전처리 효과 |
| 초록 | 본 연구는 전기화학적 방법에 의한 알루미늄 에칭시에 전처리가 미치는 영향을 조사하였다.전처리 용액으로 1N HCl, H2SO4, H3PO4, NaOH를 사용하였으며 각 용액이 에칭시에 어떤 영향을 미치는 가에 대해서 조사하였다.NaOH전처리의 경우 핏팅전위를 anodic방향으로 이동시키며 동일 전위에서 산화전류량이 감소되는, 에칭을 억제하는 특성을 나타내고 있다. HCl을 이용한 전처리의 경우 염소이온이 흡착되고, 염소이온이 흡착된 곳에 핏트가 집중되게 됨으로써 핏트분산이 가져오는 전극표면적의 증가에는 한계를 나타내는 것으로 생각된다. 저온의 H2SO4, H3PO4의 전처리에서 전처리 온도가 증가함에 따라 Ep는 cathodic 방향으로 이동하였으며, 특히 저온에서의 전처리는 anodic방향으로 크게 이동함을 보여주고 있는데 이는 피막형성에 의한 보호특성의 향상에 기인하는 것으로 추측된다. |
| 저자 | 이재광, 오재호, 탁용석 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | 전처리; 핏트 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
