| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 가을 (10/24 ~ 10/26, 서울대학교) |
| 권호 | 8권 2호, p.5190 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 쵸크랄스키 실리콘 결정내 점결함의 동적거동 |
| 초록 | 기존의 연구를 통해 추정된 Intrinsic point defects의 열역학적 성질을 표현하는 식을 사용하여 실리콘 결정내의 interstitial과 vacancy의 농도를 예측할 수 있는 시간에 따른 점결함 거동에 관한 연속 모델을 세우고, 150mm 실리콘 단결정에서의 점결함 분포와 결정냉각중에 생성되는 OiSF 링의 위치를 수치해석법으로 계산하였다. 실리콘 단결정의 성장정지 실험 결과와 시뮬레이션 결과를 비교한 결과, 시간에 따른 점결함의 동적 거동 해석에 의해 예측된 점결함의 분포는 실험결과와 정성적으로 잘 일치했다. |
| 저자 | 김광훈, 최일수, 왕종회, 이홍우 |
| 소속 | LG실트론 기초(연) |
| 키워드 | Point Defect; CZ; Silicon; Numerical Simulation; OiSF; Growth Halt |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
