| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 |
| 제목 | GaN에 증착된 Metal의 RTA 온도에 따른 쇼트키접합 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 Si위에 성장된 n-GaN 기판 위에 DC 스퍼터링법으로 Mo을 100nm 증착한 후 다른 RTA 온도에 따라 쇼트키접합의 특성을 조사하였다. 면적이 10 mm x 10 mm인 n-GaN/Si 기판을 DC 스퍼터링 장치에 장착하고 2.0 x 10-6 torr 까지 진공을 배기한 후, Ar 가스를 30 sccm으로 공급하여 공정압력을 3 mtorr로 유지하면서 Ti을 100 nm 두께로 스퍼터링하였다. RTA 장비를 이용하여 600 ~ 900℃의 온도범위에서 1분 동안 열처리한 후 XRD, SEM, HP 4155B로 측정하여 쇼트키접합의 특성을 분석하였다. 열처리에 의해 저항이 낮아지는 것을 확인 할 수 있었고, 900℃에서 가장 우수했다. |
| 저자 | 송호선, 김선태, 변창섭 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | GaN; DC sputtering; RTA; XRD <BR> |
