| 초록 |
Carbon nanotube가 처음 발견된 이후로 흑연화된 nanotube의 성장에서 nanotube의 지름, 두께, 성장 mechanism, alignment 및 응용에 관한 많은 연구가 이루어졌다. Carbon nanotube의 생산은 주로 arc method 또는 hydrocarbon을 이용한 CVD에 의해 가능했다. 이러한 방법들은 모두 700℃ 이상의 고온에서만 가능하여 cold-cathode flat panel display와 같은 electron emission application에 적합하지 못하며, CVD의 특성상 온도가 너무 증가하면 기상반응이 일어나 고상의 입자를 형성하여 박막형성을 방해하는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 비교적 낮은 온도에서도 carbon nanotube의 성장을 가능하게 하는 것이 본 연구의 목적이다. 본 연구에서 사용된 방법은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)인데, 증착온도 및 기판 열처리방법의 영향을 실험적으로 조사하였다.
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