| 초록 |
실리콘 관통 비아(through silicon via, TSV)는 반도체 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단을 연결, 3차원으로 적층하는 기술로 기존 배선에 비해 속도와 소비전력을 개선할 수 있다는 장점이 있다. 전해 도금을 사용하여 마이크로 스케일의 TSV를 구리로 결함 없이 채우기 위해서는 첨가제들이 필요하다. 첨가제들은 TSV의 구리로 채우기 위한 전해 도금 공정을 진행하는 동안 수용액 내에서 열화가 발생하며 이로 인해 첨가제들의 분해와 소모를 동반한 도금액 성능 감소가 일어난다. 따라서 도금액 내 각 첨가제들의 물성에 대한 선택적 모니터링이 필요하며 첨가제들에 대한 모니터링 기술로 CVS (cyclic voltammetric stripping)가 있다. 본 연구에서는 최근 평탄제로 주목받고 있는 암모늄염을 포함한 요오드화물의 구리 도금액 내 농도를 CVS로 분석하는 것을 목표로 하였다. 표준 용액을 이용한 분석을 기반으로 하여 다양한 조건의 구리 도금액 내에 있는 평탄제의 농도를 선택적으로 측정할 수 있는 방법을 고안했다. 이를 이용하여 열화된 도금액 내의 평탄제를 정확히 분석하고 첨가제 보충을 통해 열화된 도금액으로도 TSV 채움에 성공하였다. |
