화학공학소재연구정보센터
학회 한국공업화학회
학술대회 2010년 가을 (10/27 ~ 10/29, 대전컨벤션센터)
권호 14권 2호
발표분야 무기재료
제목 반도체 후공정에서 세정공정 및 세정액 특성 평가
초록 반도체 후공정에서 소자의 CD 축소와 더불어 나타나는 RC delay를 극복하기 위해 구리와 저유전율 재료를 채택하였다. Via와 trenches를 형성하기 위해 다마신 구조의 금속배선을 형성하였다. 다마신 구조를 형성화는 과정에서 유전체 측벽과 via의 하부에 CuxOy형태의 식각잔류물을 형성하게 된다. 세정용액은 구리의 산화와 유전체의 유전상수의 저하없이 구리산화물을 선택적으로 제거해야 한다. 본 연구에서는 반도체 후공정에서의 세정액 특성을 평가하였다. 세정공정의 특성을 평가하기 위해 ICP를 이용하여 식각잔류물의 용해도를 측정하였다. 각 용액의 저유전체 재료와의 적합성 평가를 위해 FT-IR을 통한 구조적 변화 확인과 식각률을 ellipsometer를 이용하여 평가하였다. 또한 용액의 구리와의 적합성 평가를 위해 AFM을 이용하여 표면의 거칠기 변화 및 세정 후 표면의 passivation 형성을 XPS를 통해 확인하였다.
저자 고천광, 이원규
소속 강원대
키워드 구리산화물; 용해도; 세정액; XPS
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