| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | LED용 TMGa precursor 재이용 기술개발 및 특성평가 |
| 초록 | 최근 녹색 성장으로 인하여 LED 및 고효율 power source의 필요성이 급증하는데, 이 소자를 만들기 위해서는 Trimetylgallium(TMGa)이 꼭 필요로 한다. TMGa는 canister에 보존되어 MOCVD장치의 precursor로 사용되는데, 이 canister의 사용 후 잔량은 약 10%이며 대부분 폐기된다. 그러므로 폐기되는 잔량을 회수하여 재이용 할 수 있는 회수 및 정제 공정을 개발하고자 하였다. LED공정에서 사용되는 TMGa canister의 사용 후 잔량을 회수하여, 정제하기 위한 저장용기로 이송하게 되는데 이때 회수량은 98% 이상으로 나타났으며, 정제 후에도 전체 정제량의 99.5% 이상이 회수되었다. 정제 공정을 거친 후 TMGa의 불순물 함량을 분석한 결과 전체 불순물의 함유량은 약 0.5ppm 이하로 기존의 10∼100ppm보다 고순도의 TMGa를 회수/정제 할 수 있었다. TMGa, 즉 (CH3)3Ga의 화학적 결합의 결함 여부 분석을 위한 NMR 분석에서도 결합구조의 결함 없이 뚜렷한 (CH3)3Ga peak를 관찰 할 수 있었다. 또한 본 연구에서 얻은 TMGa를 이용하여 LED 제조 시 기반이 되는 GaN를 성장한 후 구조적 특성, 광학적 특성, 전기적 특성을 평가한 결과, 상용 LED 제조용 precursor로 사용이 가능할 것으로 판단된다. |
| 저자 | 양재열1, 윤재식1, 이지면2, 신선섭3 |
| 소속 | 1한국기초과학지원(연), 2순천대, 3덕산테코피아(주) |
| 키워드 | TMGa; precursor; 회수; 정제; 고순도 |
