| 초록 |
본 연구에서는 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 10 mol% MgO를 도핑한 SnO2 박막을 다양한 온도에서 성장시킨 후에 여러 급속 열처리 온도를 증착 변수로 선택하여 성장된 박막의 구조, 표면, 광학적 특성을 조사하였다. 증착시 챔버안의 초기 진공도는 로터리 펌프와 터보 펌프를 사용하여 5.0*10-6 Torr 까지 배기하였으며, 증착 압력을 3.5*10-2 Torr로 유지하고, RF 파워를 40 W로 공급하였다. 증착 온도를 변수로 성장한 MgO가 도핑된 SnO2 박막의 XRD 피크의 세기는 증착 온도가 100 oC에서 400 oC로 증가함에 따라 점차적으로 증가 하였으며, 최대 주 회절 피크는 400 oC에서 증착한 시료에서 회절각 33.9o 에서 관측되었으며, 이것은 SnO2 (101)면에서 회절된 피크로 확인되었다. 광학 밴드갭 에너지는 Tauc의 모델을 사용하여 결정하였으며, 870 oC에서 급속 열처리된 박막의 경우에 3.61 eV 이었다. 실험 결과로부터, 증착 온도가 SnO2 박막의 결정 입자와 밴드갭 에너지의 크기에 상당한 영향을 끼침을 알 수 있었고, 자세한 결과가 제시될 것이다. |
