| 초록 |
염료감응 태양전지는 높은 효율과 낮은 제조비용, 원재료 수급에 대한 자원적 제약이 없다는 장점으로 차세대 태양전지로서 각광받고 있다. 구동원리는 흡수된 빛에 의해 n타입 반도체 산화물 표면에 흡착된 염료분자가 전자-양공 쌍을 생성하고, 전자는 반도체 산화물의 전도띠로 주입되며, 주입된 전자는 나노 입자간 계면을 통하여 투명 전도성 막으로 전달되어 전류를 발생 시키게 된다. 염료 분자에 생성된 정공은 산화-환원 전해질에 의해 전자를 받아 다시 환원된다. 염료감응 태양전지 효율 감소에 영향을 미치는 손실 요인으로는 태양전지 표면의 반사손실, 투과 손실, 양자 손실, 전자-정공의 재결합 손실, 불완전한 P-N 접합에 의한 손실, 전류 전압 특성에 기인하는 손실 등이 있다. 이 중 광학적 손실을 최소화하기 위하여 태양전지 표면에 Anti-Reflective layer (AR layer) 를 형성하여 반사율을 낮추고 투과율을 높이는 방법이 있다. 본 연구에서는 MgF2와 SiO를 electron beam evaporation system과 Plasma Enhanced Specifications Chemical Vapor Depostion (PECVD)으로 AR layer로 형성하여 그 특성과 태양전지의 효율을 비교 관찰하였다. |
