| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2016년 가을 (10/26 ~ 10/28, 제주국제컨벤션센터(ICCJEJU)) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | 환경에너지_포스터 |
| 제목 | ALD 공정을 이용한 태양전지용 Cu2S 광흡수층 박막 분석 및 특성 |
| 초록 | Cu2S는 안정적이며 좁은 1.2eV의 band gap 반도체 물질로 우수한 광학적, 전기적 특성을 지니고 있는 물질이다. 또한 높은 흡수 계수를 가지며 ALD기반의 Cu2S 증착을 통한 광 흡수 층 물질 변경 및 3-D nano hybride 구조로 응용도 가능하다. Cu precursor 온도 50 ℃, chamber 내의 온도 200℃에서 Cu precursor와 H2S gas를 결합시켜 600cycle 정도 결합시켜 Cu2S를 증착시켰다. 이렇게 태양전지 광흥수층에 이용 가능한 Cu2S을 ALD공정으로 증착시킨 후 Scanning electron microscope(SEM), X-ray diffraction(XRD), Energy-dispersive X-ray spectroscopy(EDX) 등을 이용하여 박막 분석 및 특성을 연구하였다. Acknowledgement 본 연구는 미래창조과학부에서 지원하는 DGIST 기관고유사업에 의해 수행되었습니다(16-EN-03). |
| 저자 | 남광희, 김강필, 황대규, 성시준, 강진규 |
| 소속 | DGIST / 태양에너지융합연구센터 |
| 키워드 | Cu2S; ALD; 태양전지 |
