| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | SiO2 기판 위에 금속 버퍼층을 이용한 GaN의 HVPE 성장 |
| 초록 | 본 연구에서는 SiO2기판 위에 DC 스퍼터링법으로 고융점 금속인 Mo, W, Ti, Cr 등의 버퍼층을 형성 한 후 HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy)법으로 GaN를 성장시키고 그 특성을 조사하였다. SiO2와 GaN 사이의 격자부정합에 의한 GaN의 균열과 박리현상을 억제하기 위하여 금속 버퍼층의 종류와 두께에 따른 영향을 조사하였고, HVPE법에 의한 GaN 성장에 있어 Ga과 NH3 가스를 이용한 전처리 효과가 GaN의 품질에 미치는 영향을 조사하였다. |
| 저자 | 신동휘1, 송창호2, 김준1, 한원석2, 배남호1, 변창섭2, 김선태1 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | GaN; HVPE; SiO2 substrate; Metal buffer |
