| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 |
19권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
열처리에 의한 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 바이어스 조명 안정성 향상 |
| 초록 |
비정질 IGZO(a-IGZO)는 RF 스퍼터링 방식에서 산소의 양에 따라 전도성 또는 절연체의 특성을 가지고 증착된다. 우리는 후처리 효과에 의한 a-IGZO 박막 트랜지스터 (TFTs)에서 InGaZnO(IGZO)의 특정크기에서의 저항 패턴을 증명하였다. 후 처리공정에 의해 a-IGZO TFT의 구동전압은 열처리 온도에 따라 양 또는 음의 값으로 변화한다. 후 처리공정은 산소의 공핍 혹은 IGZO 박막에서 탈착 된 산소를 제공 할 수 있다. 변화 된 IGZO TFT의 구동전압은 IGZO의 저항패턴의 변화와 일치한다. a-IGZO TFTs를 제작하여 우수한 문턱전압 이하 gate swing (0.32V/decade)과 높은 전류 on/off 비율 (>109) 그리고 6.2cm2/Vs의 전계 이동도를 보여주었다. 3600초 후 순방향 바이어스 조명 응력(PBIS)과 역방향 바이어스 조명 응력(NBIS)에서 디바이스의 문턱전압은 각각 0.4V와 1V로 변화하였다. |
| 저자 |
류상욱, 서인준
|
| 소속 |
단국대 |
| 키워드 |
a-IGZO thin film; TFT; post annealing
|
| E-Mail |
|
