| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/21 ~ 10/22, 인하대학교) |
| 권호 | 11권 2호, p.2586 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | E-beam lithography를 이용하여 나노미터 크기로 패턴된 magnetic tunnel junction (MTJ)의 건식식각 |
| 초록 | 최근 정보화 산업의 발달은 DRAM, flash memory 등을 포함한 기존의 반도체 메모리 소자를 대체할 수 있는 차세대 메모리 소자에 대한 개발을 요구하고 있다. 특히 magnetoresistive random access memory (MRAM)는 SRAM과 대등한 고속화 그리고 DRAM 보다 높은 기록 밀도가 가능하고 낮은 동작 전압과 소비전력 때문에 대표적인 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. 또한 MRAM 소자의 고집적화를 위해서 우수한 프로파일을 갖고 재증착이 없는 나노미터 크기의 magnetic tunnel junction (MTJ) stack의 건식 식각에 대한 연구가 선행되어야 한다. 본 연구에서는 고밀도 유도 결합 플라즈마를 이용한 반응성 이온 식각을 이용하여 나노미터 크기의 깨끗하고 우수한 식각 프로파일을 갖는 MTJ stack을 형성하고자 하였다. 나노미터 크기로 패턴된 MTJ stack의 식각특성은 Ar, Cl2 그리고 BCl3의 가스 농도, coil rf power, 그리고 pressure의 변화에 따라서 조사되었다. E-beam lithography를 이용하여 형성된 200, 100, 50, 30 nm 크기의 라인과 정사각형의 모양의 e-beam resist 패턴을 이용하여 TiN 하드마스크가 식각되었고 이 하드마스크를 이용하여 MTJ stack을 식각하였다. Field emission scanning electron microscope를 이용하여 식각 프로파일을 관찰하여 최적의 식각조건을 확립하였다. |
| 저자 | 박익현, 이장우, 민수련, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | magnetoresistive random access memory; magnetic tunnel junction; high density plasma; dry etching |
| 원문파일 | 초록 보기 |
