| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 | 9권 2호 |
| 발표분야 | 정보,전자소재 |
| 제목 | Etch characteristics of GeSbTe thin films by inductively coupled plasma reactive ion etching |
| 초록 | 최근 차세대 메모리소자로서 phase change random access memory (PRAM), magnetic random access memory (MRAM), 그리고 ferroelectric random access memory (FeRAM)등이 유망한 것으로 알려져 있으며 이에 관한 연구가 활발히 진행 중이다. 그러나 현재까지 Ge2Sb2Te5(GST) 박막에 관한 연구는 주로 박막의 증착 및 상변이 현상에 대해 보고되어 졌다. 그러나 PRAM에 적용하기 위한 증착 및 식각에 관한 연구는 미흡하다. 따라서 본 연구에서는 고밀도 유도결합 플라즈마 (high density inductively coupled plasma)를 이용한 반응성 이온 식각법 (reactive ion etching)에 의해 식각되었다. |
| 저자 | 박익현, 이장우, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | PRAM; MRAM; FeRAM; GST; 증착; 식각특성 |
