| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/03, 한경대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | HBr/Cl2/Ar 가스를 이용한 나노미터 크기의 Magnetic Tunnel Junction의 식각 특성 |
| 초록 | Magnetic random access memory (MRAM)는 높은 기록 밀도, 낮은 동작 전압과 소비전력, 강한 읽기와 쓰기의 내구성, 그리고 비휘발성 메모리의 특성을 가지고 있어 대표적인 차세대 메모리로 주목받고 있다. 최근에 MRAM 소자의 고집적화를 위해 핵심 소자인 magnetic tunnel junction (MTJ) stack의 식각 공정에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각과 HBr, Cl2, 그리고 Ar의 혼합가스를 이용하여 나노미터 크기로 패턴된 MTJ stack의 우수한 식각 프로파일을 형성하고자 하였다. Electron-beam lithography 공정을 이용하여 70 x 100 nm2 크기로 패턴되고 식각된 TiN 하드마스크를 이용하고, Ar, HBr, 그리고 Cl2 가스 농도를 변화시켜 MTJ stack을 식각하였다. 식각된 MTJ stack은 field emission scanning electron microscope를 이용하여 식각 프로파일이 관찰되었고 식각특성이 조사되었다. |
| 저자 | 민수련, 조한나, 노수진, 리유에롱, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | ICPRIE; MTJ; Cl2/HBr/Ar |
