| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | PMMA(Polymethylmethacrylate)를 사용한 하이브리드 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 인버터에 대한 연구 |
| 초록 | 현재 가장 널리 쓰이고 있는 박막트랜지스터로는 유기박막트랜지스터와 산화박막트랜지스터가 있습니다. 이 박막트랜지스터들은 각각 장단점을 가지고 있습니다. 먼저 유기물박막트랜지스터는 공정 과정이 간단하고 낮은 온도에서 공정이 가능하며 구부릴 수 있다는 점에서 차세대 소자로 각광받고 있습니다. 하지만 주변 환경에 민감하여 안정성이 낮다는 단점이 있습니다. 반면 산화박막트랜지스터는 높은 이동도와 ON/OFF Ratio를 가져 전환 소자로 사용하기 유리하지만 높은 온도에서 공정을 진행해야한다는 단점이 있습니다. 따라서 우리 팀은 이 2가지 박막트랜지스터의 장점을 살려서 회로에 적용하기 위해 하이브리드 CMOS의 형태로 만들었습니다. 즉, N형 산화박막트랜지스터와 P형 유기박막트랜지스터를 융합하여 하이브리드 CMOS를 만들고, CMOS 회로를 구현했습니다. 하지만 유기물과 무기물 사이에 호환성이 떨어져서 성능이 좋지 않습니다. 즉, 활성층이 잘 형성되지 못해 전류가 잘 흐르지 못하는 것입니다. 이를 해결하기 위해 PMMA물질을 passivation으로 사용하여서 두 박막트랜지스터 사이의 연결하는 활성층를 안정화 시켜서 성능을 향상 시켰습니다. 절연체의 두께를 조절해 N형과 P형사이의 문턱전압를 조절하였습니다. 위와 같은 방식으로 CMOS의 최적화를 통해 높은 이득의 인버터를 구현했습니다. |
| 저자 | 김용상, 권지원, 이관영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | PMMA(Polymethylmethacrylate); CMOS(complementary metal-oxide semiconductor); inverter; OTFT; Oxide TFT |
