| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
23권 2호, p.2064 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
ZnO 나조구조를 이용한 GaN 기반 고감도 암모니아 센서 |
| 초록 |
저농도의 암모니아 가스 검출은 자동차 배기 가스 모니터링뿐만 아니라 농업 및 화학산업과 같이 다양한 분야에서 필요하다. 그러나 5 ppm 이하의 낮은 농도 암모니아는 특유의 냄새가 나지 않아 인체에 장시간 노출 될 위험성이 높고 만약 장시간 노출 될 경우 인체에 악영향을 미치므로 신속하게 낮은 농도의 암모니아를 탐지해내는 것은 매우 중요하다. ZnO 나노구조를 암모니아 검출물질로 이용한 AlGaN/GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) 기반의 가스 센서를 제작하였다. 제작된 센서는 상온부터 300 ℃의 넓은 온도 범위에서 최소 100 ppb 농도의 암모니아에 대해 빠르고 정확한 반응성을 보였다. AlGaN/GaN HEMT 기반 FET의 gate 영역에 ZnO 나노구조를 적용시킨 암모니아 센서의 제작 과정과 특성을 소개하고자 한다. |
| 저자 |
정선우1, 백광현2, 장수환1
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| 소속 |
1단국대, 2홍익대 |
| 키워드 |
화공소재 전반 |
| E-Mail |
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| 원문파일 |
초록 보기 |
