| 초록 |
본 연구에서는 CH4와 H2의 혼합 기체로부터 RF 펄스 플라즈마 화학증착법으로 실리콘 기판위에 직류자체 부전압을 -100 V에서 - 400 V 까지 100 V씩 변화시키면서 15℃에서 30분 동안 비정질 탄소박막을 증착하였다. 증착된 박막의 구조 및 결정학적 특성을 SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy), FT-IR(fourier transform infrared spectroscopy), Raman Spectroscopy, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 등을 사용하여 분석하였다. AFM에 의해 측정된 average roughness는 직류자체 부 전압이 -100 V에서 -400 V로 증가함에 따라 0.93에서 1.64로 증가하였으며, -400 V에서 뾰족탑 같은(needle-like) 표면 윤곽을 나타내었다. 또한 Raman spectroscopy로 분석한 결과 ID/IG(sp2/sp3)의 비는 직류자체 부 전압 -300 V에서 증착된 박막이 가장 낮은 값을 얻었으며, 다이아몬드 특성에 가장 근접한 박막임을 알 수 있었다. 이 결과는 XPS 분석 결과와 같은 양상을 나타내었다. |
