| 초록 |
본 연구에서는 선형 대향 타겟 스퍼터 (LFTS) 공법과 이를 이용하여 제작된 Al-doped ZnO (AZO) 투명전극의 GaN LED 적용 가능성을 확인하였다. LFTS system을 이용하여 성막된 GaN LEDs용 AZO 투명전극의 전기/광학적 및 구조적 특성은 hall measurement, UV/Vis spectrometry, x-ray diffraction 분석법을 통해 최적화 되었으며, substrate to target distance (TSD), target to target distance (TTD), post rapid thermal annealing (RTA) 및 N2 ambient treatment 변수 조절을 통해 최적화된 LFTS AZO 투명전극으로부터 가시광선 영역 88.8%의 광투과율과 80 Ohm/sq. 의 낮은 면저항 값을 도출 할 수 있었다. 최종적으로 LFTS 공법과 일반적인 magnetron sputter 공법을 이용하여 GaN LED 소자 위에 직접성막 방식 (direct sputtering) 으로 AZO 투명전극을 성막하고, 이를 통해 제작된 투명전극을 microscopy 분석법을 통해 AZO 성막 공정 중 소자로의 플라즈마 데미지 여부를 비교/분석 함으로써 LFTS 공법과 이를 이용하여 제작된 Al-doped ZnO (AZO) 투명전극의 GaN LED 적용 가능성을 타진하였다. |
