| 초록 |
본 연구에서는 SiO2 타겟과 In2O3 타겟으로 co-sputtering방법을 이용해 증착한 Si-doped In2O3(ISO) 박막의 전기적, 광학적, 구조적특성에 대해 연구하였고 이를 유기 태양 전지 (OPVs) 에 적용함으로써 그 가능성을 타진하였다. In2O3에 도핑된 Si의 양에 따른 박막 특성 변화를 알아보기 위해 In2O3 target의 DC power를 100W로 고정시킨 채 SiO2 target의 RF power 크기를 20~60W변화 시키면서 실험을 진행하였다. 제작된 ISO 박막은 72.55%의 광투과율과 40 Ohm/sq.의 비교적 낮은 면저항이 나타남을 hall measurement 및 UV/Vis spectrometry 분석을 통해 알 수 있었다. 또한 SiO2 도핑 power가 50W 이상으로 증가 할 경우 ISO 박막의 결정성이 감소하여 완벽한 비정질 상의 ISO 투명박막이 형성됨을 x-ray diffraction 분석법을 통해 확인 할 수 있었다. 최적화된 ISO 박막을 유기태양전지에 적용하였으며, 그 결과 FF : 64.13%, VOC : 0.595V, JSC : 8.028 mA/cm2, PCE : 3.065%를 확인 할 수 있었다. 최종적으로 co-sputtering 공정을 통해 최적화된 ISO 박막을 유기박막형 태양전지에 적용함으로써 광전소자로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다. |
