| 초록 |
차세대 평판 디스플레이 (Flat Panel Display, FPD)의 응용에 많은 주목을 받고 있는Low Temperature polycrystalline silicon thin film transistor (LTPS TFT's)는 active matrix liquid crystal display (AMLCD)나 active matrix organic light emmitting diode (AMOLED)의 적용에 많은 연구가 진행되어지고 있다. Poly-Si을 제조하는 대표적인 방법인 SPC(Solid Phase Crystallization) 방법은 유리의 열적인 취약성 때문에 주로 600oC 이하의 낮은 온도에서 연구되어져 왔다. 그러나 600oC 이상에서의 고온에서 고상결정화에 관한 연구는 거의 이루어지지 않았다. 최근 개발된 차세대 roll-to-roll 연속 방식의 Poly-Si TFT 제조공정은 된 steel-foil 을 모재로 사용하기 때문에 Flexible-display 의 구현이 가능하다는 점과 공정온도의 제약이 따르지 않는다는 점에서 많은 주목을 끌고 있다. 본 연구는 PECVD 법으로 증착된 a-Si을 600oC부터 1000oC 까지의 온도범위에서 결정화 온도 및 시간을 변수로 하여 고상결정화의 결정화시 형성된 다결정 실리콘 박막의 결정화 속도, 핵생성 및 성장에 관한 kinetics, inter-granular 및 intra-granular defect, 집합조직의 거동을 저온결정화의 거동과 비교분석하여 비정질 Si 박막의 고온 고상 결정화 및 결함회복 에 대한 기초 연구를 진행하였다. |
