| 초록 |
최근 유기EL이 차세대 디스플레이 소자로서 각광을 받기 시작하면서 디스플레이의 필수적인 소자 구동에 대한 여러 가지 기술적인 문제들이 부각되고 있다. 현재 상품화되고 있는 PMOLED(Passive Matrix Organic Light-emitting Diode)는 resolution 이나 life time, 소비 전력 등에서 많은 문제점을 나타내고 있어 고해상도나 대 화면을 요구하는 차세대 디스플레이에서는 Active matrix가 필수적이다. 이러한 Active matrix를 구현하기 위해서는 기존의 a-Si 을 사용한 TFT(Thin Film Transistor) device로는 낮은 mobility를 갖기 때문에 소자를 구동하기 위한 높은 mobility를 갖는 poly-Si TFT가 필수적이다. Poly-Si TFT 제조방법 중 ELA(Excimer Laser Annealing)를 이용한 방법이 널리 사용되고 있다. 일반적인 ELC(Excimer Laser Crystallization)법은 조대한 Grain Size를 갖기 때문에 높은 전자 이동도를 가지지만 낮은 uniformity와 좁은 공정 window, 높은 생산 단가 등이 문제시 되고 있다. 본 실험은 SPC(Solid Phase Crystallization)을 이용하여 레이저 결정화의 균일도를 높이는 방법을 제안한다. PECVD를 이용하여 증착한 a-Si 500를 conventional Furnace를 이용하여 우선 결정화를 한 후에 Excimer Laser Single Shot을 조사한 결과 a-Si를 Excimer Laser Single Shot한 poly-Si에 비해 매우 높은 grain 균일도를 가지고 grain Size 역시 상당히 증가한 것으로 확인되었다. 또한 동일 grain Size를 갖는 Multi shot ELA poly-Si에 비해 낮은 표면 거칠기를 나타내는 것을 확인하였다. 본 실험에 사용된 박막의 분석은 UV spectrometer, XRD(X-ray Diffraction Spectrometer), AFM(Atomic Force Measurement), FE-SEM(Field Emission Scanning Electron Microscopy), TEM (Transmission Electron Microscopy)을 이용하여 분석하였다. |
