| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Microwave공정을 추가한 고상결정화법으로 형성한 박막의 비교 연구 |
| 초록 | 현재 널리 사용되고 있는 TFT-LCD(Thin Flim Transistor-Liquid Crystal Display)는 수소화 된 비정질 실리콘(Amorphous Silicon : a-Si)을 사용하고 있으나 최근 비정질 실리콘 TFT LCD가 고밀도 및 대면적화 되어지면서 여러 단점이 들어나고 있다. 그 대안으로 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon : poly-Si) TFT가 주목 받고 있으며 이에 따른 다결정 실리콘 형성에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 다결정 실리콘 형성 방법 중 고상결정화법(Solid Phase Crytallization, SPC)을 이용하여 Microwave 공정을 추가한 다결정 실리콘 박막과 RTA(Rapid Thermal Annealing)공정만으로 형성한 다결정 실리콘 박막을 비교 분석하는 기초 연구를 진행하였다. 박막 형성에 따른 두 종류의 시편을 XRD(X-Ray Diffractometry)를 이용하여 다결정 실리콘의 결정구조 및 방향성을 확인하였고, SEM(Scanning Electron Microscopy)을 이용하여 박막 표면의 미세구조를 관찰하였다. 더불어 Raman Spectroscopy를 분석하여 Microwave 공정을 추가한 다결정 실리콘 박막의 결정성 여부를 비교 분석하였다. |
| 저자 | 김명식, 홍진원, 배규식 |
| 소속 | 수원대 |
| 키워드 | Microwave; RTA; Raman Spectroscopy; 고상결정화법 |
