| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | ZnO : Al 투명전도막의 구조적, 전기적 특성에 산소가 미치는 영향 |
| 초록 | 1. 서론 현재 TCO(transparent conducting oxide)로써 널리 쓰이고 있는 것이ITO(indium tin oxide)이다. 그러나 indium의 수급이 원활하지 못해 고가라는 점과 독성물질이라는 점, 수소 플라즈마 내에서 불안정성 때문에 그 대체 물질이 연구되고 있다. 그 중에서 Zinc oxide (ZnO)가 많이 연구 되고 있는데 ZnO는 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 반도체로서 hexagonal wurzite구조를 가지며 상온에서 3.3eV의 wide band gab을 가지고 가시광선영역에서 높은 투과율을 나타내며 기판에 대해 높은 C축 배향성을 가지므로 높은 압전특성을 가진다. 이에 따라 ZnO는 varistors, surface-acoustic-wave, UV lighting emitting diodes (LEDs), emitter and laser applications, gas sensor등에 사용 되고 있다. 2. 실험 방법 및 분석 본 연구에서는 산소 유량에 따른 Al doped ZnO 박막의 구조적인 특성과 전기적인 특성 평가를 하는 것이 목표이다. 따라서 순수 Ar 분위기에서 산소의 유량을 증가시키면 실험을 진행하였다. corning 1737 glass 기판 위에 250 ℃ 에서 O2 reactive sputtering으로 증착된 ZnO:Al 박막의 구조적 전기적 특성을 분석하였다. 구조적 특성을 분석하기 위해 SEM과 TEM을 사용하였으며 이에 따른 전기적 특성을 분석하였다. 그 결과 chamber 내 산소의 농도가 높아질수록 막의 저항은 증가하는 경향을 보였다. 본 연구는 삼성전자주식회사 LCD 연구소의 지원으로 수행하였습니다. |
| 저자 | 문연건1, 김쇄현1, 정창오2, 박종완1 |
| 소속 | 1한양대, 2삼성전자주식회사 LCD (연) |
| 키워드 | Al doped ZnO(AZO); TEM; Electrical property; Zinc oxide |
