| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (10/06 ~ 10/08, 제주 ICC) |
| 권호 |
39권 2호 |
| 발표분야 |
고분자합성 |
| 제목 |
저온 경화에 의한 SiO2 박막 성형이 가능한 QT 소재 |
| 초록 |
단계조절 sol-gel 방법을 통하여 반응속도가 조절된 Q레진을 제조한 뒤, 이를 코어로 하고 T성분을 부가하여 가수분해물을 안정화시킴으로써 역반응이 배제되고 저장 안정성이 우수한 QT 소재를 합성하였다. 제조된 레진을 사용하여 낮은 온도에서 열적 및 구조적으로 안정화된 SiO2 박막을 성형할 수 있었으며, 합성 및 박막성형 과정을 분석장비를 통하여 고찰하고 형성 메커니즘을 제안하였다. 이렇게 만들어진 SiO2박막은 반사방지 코팅, 하드코팅, 반도체, 태양전지 그리고 디스플렝이 등 다양한 분야에 응용 가능함은 물론 저온 경화 특성을 활용하여 플라스틱 기판에 적용 가능할 것으로 예상된다. |
| 저자 |
송선자1, 이응찬1, 백경열1, 서동학2, 황승상1
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| 소속 |
1한국과학기술(연), 2한양대 |
| 키워드 |
저온 경화; SiO2 박막; sol-gel
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| E-Mail |
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