| 초록 |
Indium Tin Oxide (ITO)는 In2O3:SnO2 의 비율이 90:10∼95:5wt% 의 비율로 산화 인듐에 주석이 소량 도핑 된 산화물이며 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖기 때문에 투명 전도성 산화막(Transparent conductive oxide film : TCO film)으로 가장 널리 사용 되어 지고 있다. 투명 전도성 산화막은 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP), 또는 태양전지, 터치스크린, 광센서 등 다양하게 쓰이고 있으며 최근에는 전자산업의 발달로 인하여 스마트폰 등의 무선 이동통신기기에 적합한 고화질의 소형 디스플레이와 디지털 방송을 구현할 수 있는 초대형 디스플레이의 수요가 급증함에 따라 ITO 박막의 수요도 급격히 증가하고 있다. ITO 박막 제조 공정 중 스퍼터링 증착과 같은 진공 공정은 공정비용을 증가시킨다. 그래서 본 연구에서는 공정 비용을 절감하기 위해 화학습식공정법으로 ITO 나노입자를 합성하고 스핀코팅으로 박막을 제조하였다. ITO 나노 입자를 합성하기 위해 전구체로 Indium acetylacetonate 와 tin acetylacetonate, 용매로는 oleyl alcohol을 사용하였고 320℃ 에서 반응을 진행하였다. 제조된 ITO 나노 입자를 Toluene에 분산시켜 잉크를 만든 후 스핀코팅으로 박막을 제조하여 구조적, 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 합성된 ITO 나노입자는 인듐과 주석의 비율이 88:12wt% 이며 구형으로 그 크기가 약 15nm 비교적 균일한 크기로 합성되었다. 또한 (222) 결정성을 가지며 2.1X106 Ω/sq 의 면저항을 나타내었다. |
