| 초록 |
최근 CdTe, Cu(In, Ga)Se2 (CIGS), Cu2ZnSnS4(CZTS)와 같은 다양한 재료를 기반으로 하는 화합물 박막태양전지(Thin Film Solar Cells, TFSCs)의 광변환 효율 향상에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. P형 반도체인 Cu2SnS3(CTS) 또한 높은 광 흡수 계수(~ 104 cm-1)와 넓은 범위의 에너지 밴드 갭(0.93~1.77 eV) 및 풍부한 자원 매장량과 이론상 전력 변환 효율이 30%인 장점을 가지고 있어 박막 태양전지의 흡수층 소재 응용에 적합한 후보 물질로서 많은 주목과 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 황화구리(Copper Sulfide, CuS)와 황화주석(Zinc Sulfide, ZnS) 박막을 RF마그네트론 스퍼터링법으로 황화 열처리 공정 없이 소다석회유리(Soda Lime Glass, SLG) 기판 위에 순차적으로 적층하여(SLG/CuS/ZnS) CTS 박막을 제조하였으며, 서로 다른 열처리(annealing) 온도에 대한 CTS 박막의 구조적 및 광학적 특성 변화를 연구하였다. |
