학회 | 한국화학공학회 |
학술대회 | 2008년 봄 (04/23 ~ 04/25, 제주ICC) |
권호 | 14권 1호, p.1346 |
발표분야 | 촉매 및 반응공학 |
제목 | Microemulsion 방법을 이용한 CMP용 CeO2/SiO2 나노 연마입자의 제조 |
초록 | 최근 반도체 평탄화 공정에 있어 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 연마입자로서 Cerium Oxide(CeO2)에 대한 관심이 급증하고 있다. CeO2 연마입자는 실리콘 산화막과의 강한 화학 결합 때문에 식각속도가 높게 나타나며, 실리콘 산화막과 질화막의 혼합 표면상에서 산화막에 대한 연마 선택성이 뛰어나지만, CeO2 입자는 쉽게 침전이 발생하고 1차 입자가 각진 형태를 띄고 있어 식각 표면의 평탄 품질을 저하시키는 단점이 문제시 되어왔다. 이러한 단점을 보완하기 위한 방법으로는 SiO2 입자상에 CeO2를 코팅하여(CeO2-coated SiO2), SiO2 입자의 물리적 특성(낮은 비중 및 구형 입자 특성)과 CeO2의 화학적 표면 특성을 동시에 지니는 입자를 제조하는 방안이 있다. 본 연구에서는 SiO2 나노 입자 위에 CeO2를 박막으로 코팅하기 위해 microemulsion을 사용하였다. Cosurfactant의 양을 조절하여 SiO2 나노 입자의 크기를 제어할 수 있었으며, CeO2-coated SiO2 나노 입자의 제조를 위해 SiO2 나노 입자가 생성된 microemulsion과 Ce(NO3)3가 포함된 microemulsion을 혼합하였다. 두 microemulsion을 혼합하기 전에 SiO2 microemulsion의 pH와 Ce(NO3)3 microemulsion에 첨가하는 DI water의 양을 조절하여 CeO2 코팅에 대한 영향을 관찰하였으며, CeO2가 SiO2 나노 입자위에 박막으로 코팅되는 것을 확인할 수 있었다. |
저자 | 정상호, 이대원, 이관영 |
소속 | 고려대 |
키워드 | Microemulsion; CMP; CeO2; SiO2 |
원문파일 | 초록 보기 |