| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 | 12권 2호, p.2424 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Cl2/Ar 가스를 이용한 Ni 박막의 건식 식각 |
| 초록 | 최근에 정보통신분야의 지속적인 발달로 인하여 메모리 소자들에 대하여 초집적화와 초고속화의 요구가 제시되고 있다. 이에 대응하기 위한 차세대 비휘발성 메모리소자 가운데 하나로서, 외부 인가전압에 의해 소자의 전기적 저항특성이 변화하는 원리를 이용한 산화물 저항변화 메모리(oxide resistive random access memory)가 크게 주목받고 있다. 이 메모리는 낮은 소비전력, 빠른 데이터 읽기-쓰기 속도, 작은 셀 면적 등의 특징을 가지며 또한 간단한 구조를 이루기 때문에 제조공정 비용과 결함을 줄일 수 있는 장점도 가지고 있다. 산화물 저항변화 메모리 소자에는 저항체로서 NiO, Nb2O5, TiO2, 그리고 Al2O3 등과 같은 이성분계 산화물질이, 전극 물질로서는 Ni, Ti, 그리고 TiN 등이 후보 물질로서 주목받고 있다. 본 연구에서는 산화물 저항변화 메모리의 핵심 전극물질인 Ni 박막을 고밀도 플라즈마를 생성시키는 유도결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching) 장비를 사용하여 식각하였다. Ni 박막은 Ti (50 Å)/SiO2 (1000 Å)/Si 기판위에 e-beam 증착 방법을 통하여 2500 Å의 두께로 증착되었으며, 1.2 μm 두께의 photoresist (PR)가 stepper에 의하여 Ni 박막위에 패턴되었다. 패턴된 Ni 박막은 Cl2/Ar 혼합 가스로 식각 되었으며, 공정 변수로서 Cl2 가스의 농도, coil rf power, 기판에 가해지는 dc-bias voltage, 그리고 공정 압력을 선택되었고 이에 따른 식각 속도와 식각 프로파일이 관찰하였다. |
| 저자 | 조한나, 리유에롱, 민수련, 정지원 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | Ni; nickel; OxRRAM; dry etching |
| 원문파일 | 초록 보기 |
