| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | CdSe 단결정 성장과 전기적 특성 |
| 초록 | Iodine을 촉매로 하는 화학적 수송방법으로 source part와 part의 온도를 각각 1000℃와 800℃로 유지하여 CdSe 단결정을 성장하였다. CdSe 단결정을 Laue 배면반사법으로 구한 Laue 사진은 {0001}면이고, 분말법으로 구한 격자상수 a0와 c0값은 각각 4.298Å과 7.010Å인 육방정구조인을 알게 되었다. Van der Pauw 방법으로 구한 Hall 효과로부터 CdSe 단결정은 n형이고 활성화에너지 Ed값은 0.042eV 정도이며 carrier density와 Hall 이동도는 상온에서 각각 1.97×1023m-3와 1.91×102m-1/Vsec정도임을 알게 되었다. |
| 저자 | 유상하, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | 화학적 수송방법; CdSe 단결정; Laue 배면반사법; Hall 효과; 활성화에너지 |
