| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Funtional and Display Materials) |
| 제목 | n-CdS/p-Si 이종접합 태양전지의 제작과 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 p-Si 기판위에 진공열증착법으로 n-CdS의 두께를 달리 증착하여 n-CdS/p-Si 이종접합 태양전지를 제작하고, 그 특성을 조사하였다. 면방향이 (111)이고 Boron이 도핑 된 6인치 크기의 p-Si 기판을 불산 용액에 담그어 자연산화막을 제거한 후 DC 스퍼터링 법으로 p-Si 기판 후면에 Al을 100 nm의 두께로 증착하고 급속열처리 장치를 이용하여 650 ℃의 온도에서 1분 동안 열처리하여 후면전극을 형성하였다. 후면전극이 형성된 Si기판을 진공열증착장치에 설치하고 할로겐램프를 사용한 기판가열장치로 상온에서 400 ℃까지 기판의 온도를 서로 달리하여 0.3~2 μm 두께로 CdS를 증착시켰다. 태양전지의 전면에 스크린 프린터를 이용하여 Ag-paste를 빗살형태로 도포한 후 130 ℃의 온도에서 열처리하여 전면전극을 형성하였다. 한편, CdS의 증착조건에 따른 광학적 특성 및 전기적 특성의 평가를 위해 10 × 10 mm 크기의 사파이어 기판 위에 같은 조건에서 증착시켰다. n-CdS막의 평가는 XRD, AFM, Hall 효과, 광흡수 및 photoluminescence 등을 측정하여 평가하였고, n-CdS/p-Si 태양전지의 특성은 I-V Tester와 분광효율 측정장치로 평가하였다. |
| 저자 | 안영민1, 이왕식2, 전성호1, 신동휘2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | CdS/Si; Solar cell; Heterojunction; Thermal Evaporation |
