| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2016년 봄 (05/18 ~ 05/20, 여수 디오션리조트 ) |
| 권호 | 22권 1호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | Oxide-metal-oxide 다층 구조 전극을 이용한 플렉서블 박막 트랜지스터 (Flexible a-IGZO thin film transistor with oxide-metal-oxide multi-layer structure electrode) |
| 초록 | 고성능의 투명하고 유연한 thin film transistor (TFT) 제작을 위해 저온 공정이 가능한 저저항 전극의 사용이 필수적이다. 보편적으로 사용하는 indium-tin-oxide (ITO)의 경우 가시광 영역에서 90%의 높은 투과도를 나타내지만, 10 Ω/sq 이하의 면저항 특성을 위해 고온 증착 공정이 필수적이기 때문에 열에 취약한 유연 기판에 적용 할 수 없다는 단점을 가지고 있다. 또한, 취성으로 인하여 3% 이상의 응력이 가해질 경우 파괴가 발생하면서 저항이 급격히 증가하게 된다. 이러한 단점을 해결 하기 위해 높은 유연성을 가지는 금속나노선과 전도성 고분자가 대안 물질로 대두되고 있으나, 균일도가 떨어지기 때문에 대면적화에 어려움이 있으며 소자 적용시 신뢰성 측면에 한계가 있다는 치명적인 문제를 가지고 있다. 본 연구에서는 투명하고 유연한 TFT를 위해 oxide-metal-oxide (OMO) 다층 구조 전극의 고투과도와 저저항 및 높은 유연성을 확보하였다. 전극의 각 층별 두께에 따른 광학적, 전기적 특성을 UV-vis와 four-point probe로 분석하여 최적의 두께를 도출 하였으며, 곡률반경과 반복 굽힘 시험으로 유연한 전극으로서의 안정성을 확인하였다. OMO 다층구조를 source-drain 및 gate 전극으로 사용하여 amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) channel TFT를 유리 기판과 유연한 polyimide(PI) 기판 위에 제작하여 각각의 전기적 특성과 소자의 투과도를 측정하였으며, 정적/동적 굽힘 시험으로 소자의 응력에 대한 안정성을 확인하였다. |
| 저자 | 김윤철, 이수정, 장건, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | oxide-metal-oxide (OMO); amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO); thin film transistor (TFT) |
