| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 그래핀과 PZT를 이용한 1T 구조의 강유전체 메모리 소자 |
| 초록 | 근래에 차세대 메모리 소자가 크게 각광으 받고있다. 그 중에서도 강유전체 메모리는 빠른 읽기/쓰기 속도, 낮은 전력 소모, 기존 공정과의 적합성 등의 장점으로 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 기존의 1T-1C 구조의 강유전체 메모리는 집적도 면에서 한계를 가져다 주고 있어 많은 연구자들이 1T 구조의 메모리를 개발하여 집적도를 개선하려는 노력을 하고 있다. 이에 우리는 PZT를 강유전체 물질, 그래핀을 채널 물질로 이용하여 1T 구조의 강유전체 메모리를 구현하였다. 이용된 PZT는 졸겔 법으로 형성되였고 높은 잔류 분극과 낮은 보자 전압을 나타내었다. 그래핀을 적용한 트랜지스터 또한 PZT의 강유전성의 영향을 받아 전류 분극 현상이 일어났고 반복 테스트를 통해 소자의 신뢰성과 안정성을 확인하였다. 이 결과는 차세대 메모리 강유전체 메모리 분야에서 그래핀을 이용하여 1T 구조를 구현하였다는 점에서 중요성이 강조된다. |
| 저자 | 이원호, 안종현 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | 그래핀; PZT; 강유전체; 메모리 |
