| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 ) |
| 권호 | 12권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | 플라즈마 유기 금속 화학 증착법(PE-MOCVD)를 이용한 ZnO박막 성장과 Ga이 첨가된 ZnO박막 성장 및 특성평가 |
| 초록 | ZnO는 현재 UV 발광 소자로 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 유기 금속 화학 증착법(PE- MOCVD)을 이용하여 사파이어 기판위에 ZnO박막과 Ga이 첨가된 ZnO박막을 성장하였다. PE-MOCVD방법상에서 최적 성장조건인 r.f. power는 400W, 온도는 700도에서 고품위 단결정 ZnO박막을 얻을 수 있었다. 또한 Ga을 첨가하여 ZnO박막을 성장하여 높은 전자농도를 가진 박막을 얻을 수 있었다. 성장된 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성은 투과전자현미경(TEM), X선 회절(XRD), 주사 전자 현미경(SEM)과 광발광분석(PL),홀효과 측정장치로 측정하고 분석하였다 |
| 저자 | 이창배1, 박주훈2, 이병택1 |
| 소속 | 1전남대, 2남부 대 |
| 키워드 | PE-MOCVD; ZnO; Ga-doping ZnO |
