| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 |
RF 마그네트론 코스퍼터링을 이용한 Si3N4 매트릭스 내부의 실리콘 양자점 제조 |
| 초록 |
양자점을 적용한 초격자 구조는 밴드갭 제어를 통해 고효율 태양전지를 만들 수 있기 때문에 3세대 태양전지 분야에서 주목 받고 있다. 양자점 초격자 구조에서 전자의 원활한 이동이 이루어지기 위해서는, 양자점이 유전체 매트릭스 내부에서 일정한 배열을 이루어야 한다. RF 마그네트론 코스퍼터링을 사용하여 실리콘 양자점 초격자 구조를 제조하였고, 튜브로를 이용하여 800 에서 1100℃ 범위에서 열처리 하였다. 구조 분석을 위해X-선 회절법(XRD), 라만 분광법(Raman), 푸리에 변환 적외선 분광법(FTIR), 투과 전자 현미경(TEM) 분석을 하였고, 열처리 전후의 박막 내 상대적 결함 농도를 분석하기 위하여 전자 스핀 공명 분광법(ESR)을 이용했다. 본 연구에서는 다양한 조건으로 실리콘 양자점 초격자 구조를 제조하고, 열처리 및 SiNx 리치층 조성에 따른 구조적 변화를 분석하였다. |
| 저자 |
하린1, 김신호1, 김현종2, 이정철2, 박영빈1, 김양도1
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| 소속 |
1부산대, 2한국에너지기술(연) |
| 키워드 |
태양전지; 양자점; 초격자구조
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