| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 |
14권 1호 |
| 발표분야 |
에너지환경/생체재료 |
| 제목 |
비정질 실리콘의 패시베이션 효과에 따른 소수반송자수명의 영향 |
| 초록 |
태양전지에 비정질 실리콘을 적용을 하였을 때 패시베이션 효과를 보이게 된다. 특히 일본 산요사에서 판매하고 있는 HIT 셀은 웨이퍼 패시베이션을 위해 비정질 실리콘을 적용하여 변환효율이 약 22%을 보이고 있다. 또한 고효율 태양전지의 패시베이션 층으로 SiO2을 대신하여 비정질 실리콘을 적용하는 많은 연구가 진행중에 이며, 본 연구에서는 n형 웨이퍼를 기판으로 진성 비정질 실리콘과 n형 비정질 실리콘 및 p형 비정질 실리콘을 패시베이션 층으로 사용하여 소수반송자수명에 따른 태양전지 효율변화를 보았다. |
| 저자 |
강민구1, 탁성주1, 이준성1, 이정철2, 윤경훈2, 송진수2, 임희진1, 김동환1
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| 소속 |
1고려대, 2한국에너지기술(연) |
| 키워드 |
비정질 실리콘; 소수반송자수명; 패시베이션
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| E-Mail |
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