| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 직접 프린팅 방식을 이용한 TiO2 나노입자 분산용액 기반의 저항 변화 메모리 제작과 전기적 특성 측정 |
| 초록 | wearable 소자나 IoT 소자 같은 인간과 사물에 부착되어 사용되는 경우 집적되는 에너지 소모가 적게 요구되므로 낮은 에너지 소모가 요구되는 비휘발성 메모리 소자가 필요하다. 이에 따라서 저항 변화 메모리는 차세대 메모리 소자의 후보군으로써 각광 받고 있다. 저항 변화 메모리는 빠른 스위칭 속도, 낮은 작동 전압, 적은 에너지 소비 등의 장점을 가지고 있다. 저항 변화 메모리 소자 제작 방법으로는 나노 임프린트 리소그래피의 한 방법인 direct printing방법을 이용하였다. 나노 임프린트 리소그래피는 차세대 리소그래피 중 하나로 다양한 패턴을 형성 할 수 있는 패터닝 공정이다. 나노 임프린트 리소그래피는 간단하고 저비용 공정이다. 또한 대면적에 다양한 레진을 이용하여 다양한 구조체를 형성 할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 이 실험에서는 TiO2 나노입자 기반의 저항변화 메모리 소자를 Direct printing을 이용하여 200nm의 직경을 갖는 나노 저항 변화 메모리 소자를 제작하고 전기적 특성을 측정하였다. 나노급 저항변화 메모리의 전기적 특성을 확인하기 위하여 cAFM 장비를 이용하였고 확인한 결과 저항 변화 메모리로써 특성을 보였다. 나노 저항 메모리 소자는 TiO2 나노 입자 분산용액을 기반으로 제작하였고, 전체 공정이 용액 공정으로 이루어져 있다. 그러므로 기존의 실리콘 기판 뿐 아니라 폴리머 기반의 유연 기판에도 소자를 제작 하였고 cAFM장비를 기반으로 저항변화 메모리 특성이 나타남을 확인하였다. |
| 저자 | 박재민, 성영훈, 손수민, 허대홍, 이헌 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | <P>nanoimprint; TiO2; ReRAM; cAFM</P> |
