| 초록 |
본 연구에서는 분무 열분해 공정을 이용하여 장파장 UV 여기원 하에서 우수한 발광강도를 가지는 녹색 형광체인 (Ba1-x,Eux)Al2-ySiyO4-3/2dNd형광체를 제조하고, Si 량 및 전구체 종류, 운반기체 종류에 따른 발광특성을 조사하였다. Al 자리에 치환된 Si의 량이 증가함에 따라 발광스펙트럼의 중심파장은 점차적으로 장파장 쪽으로 이동하였다. Si가 치환되지 않은 순수한 BaAl2O4:Eu은 400-500 nm 사이에서 낮은 여기 스펙트럼을 보이나 Si의 함량이 y=1~1.5 범위에서 크게 향상되었다. 휘도 측면에서 최적의 Al:Si 몰비는 1:3이였다. 전구체를 TEOS 와 Si3N4 나노 입자를 이용하여 제조하여 발광 특성을 조사하였다. 발광스펙트럼의 중심파장은 Si 전구체 종류에 영향을 받지 않았다. 반면, 발광강도는 Si3N4로 제조한 것이 TEOS로 제조한 것보다 우수하였다. 분무열분해에 이용된 운반기체 Air와 N2를 이용하고 Si 전구체를 달리하여 제조한 샘플들의 발광특성을 조사하였다. TEOS를 전구체로 이용할 경우 질소분위기에서 제조한 샘플이 공기 분위기에서 제조한 것 보다 우수한 발광 특성을 보였다. 반면, Si3N4 나노 입자를 전구체로 이용한 경우는 공기분위기에서 제조한 샘플이 질소 분위기에서 제조한 것보다 우수한 발광 특성을 보였다. |
