| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
실리콘웨이퍼의 습식식각 시 표면거칠기에 따른 전기비저항 변화 |
| 초록 |
본 연구는 실리콘 웨이퍼의 습식식각 시 웨이퍼의 표면 거칠기 변화에 따른 전기비저항 변화에 관한 것이다. 실험에 사용된 실리콘 웨이퍼는 결정방향이 (111) 방향이며 Boron이 도핑 된 P-type 웨이퍼를 사용하였다. 에칭용액은 불산-질산을 base로 한 4원계의 용액을 제조하여 사용하였으며, 에칭용액의 불산 농도 변화에 따른 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기 변화를 관찰하였다. 표면 거칠기는 Ra 값을 사용하였으며 AFM으로 측정하여 Scan 범위에 따른 변화를 확인하였다. 불산의 농도가 30wt.%일 때 표면 거칠기가 가장 크게 관찰되었으며 이때의 비저항은 7.54ohm·cm로 가장 낮았다. 표면 거칠기와 전기비저항의 관계를 예측하기 위해 표면 형상을 표면 거칠기 factor로 설명하였다. AFM을 이용하여 측정된 10µm2 와 40µm2각각의 Ra값을 이용할 경우 이론적 비저항 값과 측정값은 매우 정확히 일치하였다. 특히 10µm2 영역의 표면 거칠기는 넓은 면적 측정 시 발생되는 웨이브 및 두께에 대한 오차를 최소화하여 이론적 비저항 값과 측정값이 정확히 일치하는 것으로 판단되었다. |
| 저자 |
강동수1, 이상민1, 김준우2, 이상현2, 고성우2, 노재승1
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| 소속 |
1금오공과대, 2㈜eCONY |
| 키워드 |
Silicon wafer; Etching; Surface roughness; Electrical resistivity
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