| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 가을 (10/20 ~ 10/21, 포항공과대학교) |
| 권호 | 6권 2호, p.4689 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | He/O2 플라즈마 전처리를 통한 산화막 계면 특성 개선 효과 |
| 초록 | TEOS/O2 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 형성된 산화막의 계면 특성을 개선시키기 위한 방법으로써 산소 플라즈마를 이용한 전처리 공정 효과를살펴보았다. 플라즈마를 이용한 CVD 장치는 크게 remote plasma(inductive coupled plasma)와 direct plasma(capacitively coupled plasma, plate plasma)로 나뉘어질 수 있다. 이 중 direct 플라즈마 장치는 플라즈마 damage가 생길 수 있다는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 direct 플라즈마 장치를 사용하면서도 플라즈마 damage를 최소화 할 수 있는 조건을 찾아서 궁극적으로 플라즈마 전처리 공정을 통해 TEOS/O2 PECVD에 의해 증착 된 산화막의 계면 특성을 개선시키려는 목적으로 연구를 수행하였다. |
| 저자 | 김효욱, 이청, 이시우 |
| 소속 | 포항공과대 |
| 키워드 | |
| 원문파일 | 초록 보기 |
