| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/21 ~ 10/22, 인하대학교) |
| 권호 | 11권 2호, p.2564 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 원자층 증착법을 이용한 황화카드뮴 박막 형성 |
| 초록 | 황화카드뮴 (CdS)은 밴드갭이 2.482 eV이며 직접전이를 일으키는 II-VI족 반도체이다. 따라서 태양전지와 같은 다양한 광학적 응용에 이용되고 있다. CdS의 형성방법은 회분식 화학 박막 형성법, 전기화학적 방법 등이 있으며 공통적으로 수용액 상에서 막을 형성한다. 본 연구에서는 기질 표면에 기체상으로 전구체들이 공급되는 원자층 증착법을 이용해서 CdS 박막을 형성하였다. 카드뮴 전구체로는 다이메틸카드뮴 (DMCd, Cd(CH3)2)를 사용하였고 황 전구체로는 황화수소 (H2S)를 사용하였다. 반응온도가 250℃ 이하에서는 DMCd의 반응성이 떨어져서 CdS 형성이 제대로 이루어지지 않았으며 300℃이상에서 형성되었다. CdS의 증착속도는 0.61Å/cycle 이었다. 단면 TEM, XRD를 통해서 CdS는 비정질임을 확인하였다. |
| 저자 | 고창현, 한상섭, 조순행, 김종남 |
| 소속 | 한국에너지기술(연) |
| 키워드 | 원자층 증착법; 황화카드뮴; 다이메틸카드뮴; 황화수소 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
