| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 | 9권 2호 |
| 발표분야 | 정보,전자소재 |
| 제목 | C60을 N형 활성물질로 사용한 세로형 트랜지스터의 제작 및 특성 분석 |
| 초록 | 본 연구에서는 C60을 사용하여 유기 EL의 구동소자로 활용될 수 있는 트랜지스터를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 트랜지스터 제작 시 기존의 가로형 트랜지스터의 단점으로 높은 저항과 낮은 이동도를 개선하기 위해 짧은 채널 길이, 빠른 구동속도와 높은 전류의 특성을 갖는 세로형 구조로 트랜지스터를 제작하였다. N형 반도체 화합물로는 높은 이동도를 가진 C60을 사용하였다. ITO 투명 전극 위에 C60, Al 게이트 전극, C60, Al 전극 순서로 10-5 torr 이하에서 박막으로 진공증착하였다. N형 활성물질의 두께, 증착속도, 게이트 구조에 따른 트랜지스터의 on-off 비율을 조사하여 C60을 사용한 세로형 트랜지스터의 최적 구성요건을 검토하였다. 특히 AFM측정에 의하여 증착된 C60박막의 형태학을 조사하여 박막표면의 성질과 트랜지스터 특성에 미치는 상관관계를 검토하였다. |
| 저자 | 황선각, 김희정, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | C60; 세로형 트랜지스터 |
