| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (10/08 ~ 10/09, 경북대학교) |
| 권호 | 29권 2호, p.282 |
| 발표분야 | 기능성 고분자 |
| 제목 | 고분자 gate 절연막을 이용한 유기 반도체 트랜지스터 |
| 초록 | 유기 박막 트랜지스터는 제작 공정이 간단하고, 비용이 저렴하며, 넓은 면적 위에 소자 제작이 용이하다는 장점이 있다. 또 저온 공정이 가능하기 때문에 유연성 있는 플라스틱 기판에의 응용도 가능하다. 유기 반도체 트랜지스터의 경우 최근 issue는 양질의 유전체를 형성하는데 있다. 기존 실리콘 박막 트랜지스터의 insulator로 주로 사용되는 SiO2나 SiNx는 기판에 증착 시 섭씨 300도 이상의 고온 공정을 요구하므로 플라스틱 기판에의 응용이 어렵다. 따라서 최근에는 저온 공정이 가능한 유기 insulator에 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 PVP(Poly vinyl phenol)를 이용하여 insulator를 제작하였으며, 이때 패터닝 특성을 부여하기 위해 ammonium dichromate를 photo-initiator로 사용하였다. 실험 방법은 PVP를 N,N-Dimethylformamide에 녹이고 여기에 ammonium dichromate를 여러 비율로 첨가하여 용액을 만들었다. 이것을 기판에 2500 rpm으로 spin coating하고 상온에서 vacuum curing 하였다. 그 다음, shadow mask를 이용하여 UV exposure 시키고, 아세톤과 D.I. water로 developing한 후, 섭씨 120도에서 hard baking하여 600nm 두께의 양질의 유전 박막을 얻을 수 있었다. 또한 2μm의 깨끗한 pattern도 얻을 수 있었다. 이를 이용하여 제작한 플라스틱 유기 박막 트랜지스터에서 2.59 cm2/VS의 높은 전하 이동도를 얻을 수 있었다. |
| 저자 | 조은나리1, 임상철2, 이정헌1, 김성현2, 정태형1 |
| 소속 | 1한국전자통신(연), 2충남대 |
| 키워드 | 유기; gate; 반도체; 트랜지스터; 고분자 |
