| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 가을 (11/07 ~ 11/09, 라카이샌드파인 리조트) |
| 권호 | 18권 2호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Funtional and Display Materials) |
| 제목 | a-IGZO TFT의 채널 두께 변화에 따른 소자 안정성 연구 (Investigation of device stability for thickness-varied a-IGZO TFT) |
| 초록 | 산화물 기반의 TFT (Thin Film Transistor) 는 기존의 비정질 실리콘에 비해, 상온 및 저온에서 대면적으로 제작이 가능하여 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물들 중 a-IGZO 물질의 경우 결정학적으로 비정질이지만 비정질 실리콘과 달리 s 오비탈의 중첩으로 인해 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 최근 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. 그러나 bias stress로 인해 발생하는 구동전압 변화는 여전히 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 채널층의 두께를 조절하여, 각각의 두께 변화에 따른 a-IGZO 소자의 안정성 평가를 진행하였다. IGZO 채널의 두께 변화에 따른 소자 특성 및 bias stress에 대한 특성은 HP 4145B 로 측정하여 분석하고, IGZO 채널의 두께 및 morphology 는 Ellipsometer 와 SEM 을 통해서 확인하였다. IGZO 채널의 두께 별 조성 변화는 XPS 를 통하여 비교 및 분석하고 전기적 특성과의 상관관계를 도출하였다. |
| 저자 | 이민정, 박지현, 이수정, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | IGZO TFT; Amorphous semiconductor; Thin Film Transistor |
