| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/01 ~ 05/03, ICC JEJU) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | 포스터-정보전자소재 |
| 제목 | High-Performance Stable n-Type Indenofluorenedione Field-Effect Transistors |
| 초록 | 본 연구실에서는 indenofluorene core 기반의 고효율과 뛰어난 안정성을 갖는 새로운 N-type organic field-effect transistors(OFETs) 물질을 성공적으로 합성하였다. indenofluorene core 중심으로 fluorine 치환기를 side 그룹으로 숫자를 바꾸어 가며 이에 대한 연구를 진행하였다. fluorine 치환기의 숫자가 하나인 물질을 MonoF-IF-dione, 두 개인 물질을 DiF-IF-dione, 세 개인 물질을 TriF-IF-dione 이라 명명하였다. TriF-IF-dione FETs의 전자 이동도는 40분 동안 0.15에서 0.07까지 떨어졌지만 이후 3개월 동안 거의 변하지 않았다. 결론적으로 본 연구를 통해 우리는 매우 안정적인 N-type OFETs 물질을 합성하였으며, 이러한 기술을 바탕으로 추후 다양한 N-type 물질을 합성할 수 있다. |
| 저자 | 박영일, 이지원, 김범진, 박종욱 |
| 소속 | 가톨릭대 |
| 키워드 | OTFT; indenofluorene; N-type |
